本发明提供一种归中反应制备SiO
x@C材料的方法及应用，该方法采用二氧化硅与硅粉发生归中反应，在高温保护气的帮助下，调节反应温度得到产物SiO
x材料，通过喷雾干燥法进行碳包覆，得到高性能SiO
x@C材料。该发明工艺不采用易燃易致爆的镁热还原法，直接采用市场上价格便宜的粗硅与低纯度的二氧化硅粉末产生归中反应，原料便宜易得，得到高质量SiO
x@C材料。该发明得到的SiO
x@C材料颗粒具有多孔结构，碳包覆均匀，倍率性能良好，可以应用到
锂电池
负极材料领域。
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“归中反应制备SiOx@C材料的方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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