本发明公开了一种低膨胀的硅基
负极材料及其制备方法和应用，包括:氧化亚硅基体、以及均匀分散在氧化亚硅基体中的三维枝状的气相二氧化硅；三维枝状的气相二氧化硅的质量占氧化亚硅基体的质量的百分比为0.1%‑10%；三维枝状的气相二氧化硅的链状聚集体的尺寸在100nm‑500nm之间；生成三维枝状的气相二氧化硅的原生粒子的粒径在7nm‑40nm之间；本发明的
硅基负极材料，由于三维枝状的气相二氧化硅构成的网络结构具有高强度和高韧性，在脱嵌
锂的过程中可以分散氧化亚硅体积膨胀收缩的应力，降低材料的膨胀率，提高材料的循环性能。
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“低膨胀的硅基负极材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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