一种
纳米材料制备技术领域的制备硫化亚
锡纳米片阵列薄膜的方法，所用的锡源为氯化亚锡，硫源为硫代乙酰胺，螯合剂为三乙醇胺，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节PH，加入硫源后，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为4～8nm，长度约为150～210nm，这为硫化亚锡在
太阳能电池、光催化、
锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。
声明：
“制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
809
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
