本发明提出了电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，掺杂元素包括Li和F。通过在金属氧化物中进行
锂元素和氟元素的掺杂，有效降低了电子传输层的电子迁移速率，使得发光层中的电子和空穴数量更趋于平衡，从而有利于提高QLED器件的发光效率。
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来源：北方有色网
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