本发明涉及一种SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作
锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米管阵列，所制备的SnO2纳米管阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条件温和、阵列取向性好，可在传感器、
锂离子电池、染料敏化
太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。
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“SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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