一种制作至少一个半导体器件的方法，它包括下 列步骤：提供一个
铝酸
锂(LiAlO2) 的牺牲性生长衬底；邻近牺牲性生长衬底形成至少一个包括III 族氮化物的半导体层；将安装衬底与牺牲性生长衬底相反地固 定到至少一个半导体层附近；以及清除牺牲性生长衬底。此方 法还可以包括将至少一个接触与安装衬底相反地加入到至少 一个半导体层的表面上，并将安装衬底和至少一个半导体层分 割成多个独立的半导体器件。为了制作最终的器件，此方法还 可以包括将各个独立的半导体器件的安装衬底键合到热沉。清 除牺牲性衬底的步骤可以包括对牺牲性生长衬底进行湿法腐 蚀。
声明：
“Ⅲ族氮化物器件的制作方法以及由其制作的器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1122
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
