本发明涉及一种制备具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线的方法，所述方法包括：在含硅层上沉积金属膜，用湿方法处理所述金属膜以产生在含硅层上具有间隙的相互连接的金属网络，并用金属辅助蚀刻方法蚀刻所述含硅层以形成具有宽度为100nm或更小，特别是50nm或更小的硅纳米线。本发明还涉及含有硅纳米线的
锂离子电池、热电材料、
太阳能电池、化学和生物传感器以及药物递送器件。
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“制造硅纳米线的方法和包含硅纳米线的器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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