一种
电化学能源技术领域
铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和
碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了
锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。
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“铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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