本发明涉及一种以
石墨烯为模板低温熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法。该方法以Si粉为原料，以石墨烯为模板，以NaCl和NaF混合物为熔盐介质，在一定的气氛和1050℃~1200℃低温条件下通过熔盐法进行合成，随后用水对含有熔盐的产物分别进行溶解、离心、过滤等反复操作3‑6次，将残存的熔盐去除，干燥后即可得到本发明所述的二维SiC超薄纳米结构
半导体材料。制备n型SiC二维超薄纳米结构材料时，选择在N2气氛下控制工艺对合成SiC进行掺N；制备p型SiC二维超薄纳米结构材料时，选择在Ar气氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作为掺杂剂。本发明制备的二维SiC纳米结构可用于在高温、高辐射、强腐蚀性等恶劣环境的高频和高功率微电子器件及
锂离子电池
负极材料。
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来源：北方有色网
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