本发明提供了一种激光诱导硅氧化物歧化的方法和应用；所述激光诱导硅氧化物歧化的方法包括以下步骤：a)将硅氧化物置于激光光束正下方，进行连续激光辐照，得到纳米晶体硅；所述激光的功率密度为5kW/mm
2～20kW/mm
2。与现有技术相比，本发明提供的方法采用特定功率密度的激光处理硅氧化物，能够诱导硅氧化物歧化，得到纳米晶体硅；本发明提供的方法快速、高效、便捷，同时歧化效果好且可控性强，得到的纳米晶体硅颗粒均匀性好，应用于
锂离子电池
负极材料能够提高电池首次库伦效率。实验结果表明，本发明提供的激光诱导硅氧化物歧化的方法处理后的硅氧化物负极片表现出更高的可逆容量和效率，首次库伦效率提高了近10％。
声明：
“激光诱导硅氧化物歧化的方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
987
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
