本发明公开了一种草酸亚
锡中性络合法制备纳米二氧化锡基透明导电薄膜的方法：(1)搅拌条件下，将1.25g SnC2O4加入8－12ml 1.1M C6H8O7水溶液中，缓慢滴加三乙醇胺8－12ml至澄清溶液，pH＝6.5－7，然后加入0.0067g SbCl3以引入掺杂离子。(2)将玻璃片浸渍于前驱体溶胶中，提拉、干燥后于450－500℃下热处理10min，重复15－30次，得到纳米晶SnO2基薄膜。本发明提供了一种在溶胶凝胶工艺中，对于化学稳定性较低的某些金属电极(如
锂离子电池电极)表面镀膜的方法。
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“草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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