本发明公开了一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法，由上至下依次包括电极
铝、压电基片钽酸
锂、温度补偿层二氧化硅及衬底硅；所述衬底设有空腔，空腔与贯穿于温度补偿层、压电基片的释放通孔相通，所述压电基片为单晶材料。本发明在不改变压电基片的厚度情况下，谐振器的中心频率随着电极对激励方向的改变而发生变化。
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“频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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