本发明涉及低界面阻抗硅/石墨复合
负极材料。该复合负极材料是以纳米硅材料为基底材料，中间层为厚度2～100nm的
碳化硅膜，连接硅基体与石墨融合，通过控制膜的厚度保证
锂离子在硅/石墨符合体系中的扩散不受界面影响，保证界面低阻抗特征。本发明通过构筑界面层降低硅与石墨之间界面阻抗，实现硅/石墨复合负极材料一体化，然后通过二次造粒、包覆、粉碎、筛分形成低界面阻抗一体化复合负极材料产品。本发明具有的优点是：在硅表面构筑一层具有锂离子穿透能力的碳化硅膜，一方面保护硅在高温下与石墨接触并发生反应而生成碳化硅，进而失去硅的活性；另一方面碳化硅作为硅与石墨融合的界面层，降低了硅与石墨固相之间界面阻抗，提高了硅与石墨的一体化程度。另外，在硅/石墨融合过程中加入气相
碳纤维，进一步降低界面阻抗。
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“低界面阻抗硅/石墨复合负极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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