本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a－ 5g)，该装置设有第一和第二装置(10a－10g；15a，15e)，后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成，第一或第二 装置(10a－10g；15a，15e)之一在第一与第二装置(10a－10g； 15a，15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区 (20a，20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或
磷化铟 (InP)的III－V半导体，而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸
锂(LiNbO3)、聚合物，或玻璃。
声明：
“改进的集成光学装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
839
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
