披露了p型半导体氧化
锌(ZnO)薄膜和制备所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷(P)和
锂(Li)共掺杂的。披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法,它包括脉冲激光源,在脉冲激光波长下透明的基片,以及多靶系统。脉冲激光的光程是这样设置的,使得脉冲激光从基片的背面入射,穿过基片,然后聚焦在靶上。通过向着靶平移基片,这种几何设置能够利用烧蚀羽流的根部沉积小结构,它在通过三维绝热膨胀加宽羽流的角宽度前,可以沿靶表面法线存在于一维过渡阶段。这可以提供小的沉积结构尺寸,该尺寸可以类似于激光焦斑的尺寸,并且提供一种用于直接沉积图案化材料的新方法。
声明：
“P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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