本发明公开了一种多孔单层1T?MoS?2纳米片的制备方法，步骤如下：（1）采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片；（2）采用超声辅助
锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离，得到多孔单层1T?MoS2纳米片。本发明的1T?MoS?2纳米片可直接用于电催化制氢，相对于其它结构MoS2，其电催化制氢性能得到快速提高，多孔的结构为该催化提供了更多的边缘，因此可以暴露更多的活性位点，这将有益于电催化制氢；单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积，可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构，单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力，有利于电子的传输和转移，进而加快电催化制氢速率。
声明：
“多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
842
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
