本发明提供了一种助熔剂生长磷酸
铝晶体的方法,以
碳酸锂和磷酸二氢铵作助熔剂,以
氧化铝及磷酸二氢铵为原料,将各试剂称量混合均匀后放入育晶器中,在生长炉中加热熔融,恒温24小时以上,冷却至溶液饱和点温度之上10-20℃;在高于溶液饱和点温度10-20℃时,将籽晶引入生长炉,置液面上方预热后下入熔体中,开始熔化后,将温度降至饱和点以上1-2℃,同时以30转/每分钟的旋转速率,24小时后开始降温,降温速率为0.2-0.4℃/天至1-2℃/天;45-50天后生长结束,从溶液中提出晶体,以30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温。本发明可以有效的消除AlPO
4晶体内部水的存在,提高晶体的压电性能。
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来源：北方有色网
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