本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，该方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化
锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法，可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。
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来源：北方有色网
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