本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，涉及一种高β相含量致密氮化硅陶瓷及低温制备方法。涉及的一种高β相含量致密氮化硅陶瓷的制备原料包括Si
3N
4粉和烧结助剂；烧结助剂为Li
xMO
y型
锂盐以及一种或多种其它氧化物组成的复合烧结助剂；其中Li
xMO
y型锂盐为LiAlO
2、LiYO
2、LiNbO
3、Li
2ZrO
3、LiYbO
2、Li
2SiO
3中的一种，其它氧化物为
稀土氧化物或金属氧化物，Y
2O
3、CeO
2、Yb
2O
3、MgO、CaO、MgAl
2O
4中的一种或多种；所述复合烧结助剂中Li
xMO
y型锂盐和其它氧化物质量比为4~12：0~8；所述Si
3N
4粉与复合烧结助剂质量比为85～94：6～15。本发明大大降低了烧结温度，减少了氮化硅陶瓷的挥发，更好的保持氮化硅陶瓷的优异性能。
声明：
“高β相致密氮化硅陶瓷及低温制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1039
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
