本发明公开了一种片上集成倍频器件及其制备方法，其中片上集成倍频器件包括：铌酸
锂衬底；导电金属层，设置在所述铌酸锂衬底上；二氧化硅层，设置在所述导电金属层上；啁啾极化铌酸锂薄膜层，设置在所述二氧化硅层上，包括多个依次排列且长度不等的畴结构，多个畴结构中相邻畴的极化方向相反，所述多个畴结构提供的宽带倒格矢对入射飞秒脉冲激光的倍频过程中的相位失配进行补偿。本发明通过将准相位匹配技术和啁啾调制技术引入片上铌酸锂薄膜，可以在片上集成器件中实现宽带频谱范围的高效倍频。本发明可广泛应用于集成光子学领域。
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来源：北方有色网
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