本发明公开了一种集成电路封装用的高热导率氮化
铝陶瓷基板制备方法，其步骤：(1)先取无水
碳酸锂、无水
氧化钇放于马弗炉，合成锂酸钇，再经湿法球磨，制成浆料；(2)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料经筛选，获得锂酸钇粉末；(3)按质量百分比，取锂酸钇、氟化钙和AlN粉体放于无水乙醇介质中，球磨24h，制成浆料；(4)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料筛选，得到混合粉末；(5)将所得的粉末再干压、静压成型,得到素胚；(6)将素胚放在高温氮气炉，在氮气和氢气气氛中，升温至1450℃,烧结保温1小时，再升温至1735℃，烧结保温8h，然后降温冷却至室温，获得高热导率AlN陶瓷基板。该方法制备的AlN陶瓷基板热导率高、结构致密，晶粒细小，且分布均匀。
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来源：北方有色网
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