本发明公开了一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法，包括：单晶晶圆片的离子注入；将单晶晶圆片的离子注入面与媒介晶圆片键合面键合后剥离获得基于媒介晶圆片衬底的单晶薄膜；将媒介晶圆片上单晶薄膜表面与CMOS电路晶圆片键合；腐蚀剥离媒介晶圆片获得基于CMOS电路衬底的单晶薄膜。通过将铌酸
锂单晶薄膜在与CMOS电路键合前先键合在第三方衬底上，然后采用转移的方法将铌酸锂单晶薄膜无损地键合在CMOS电路晶圆片上；使用薄膜转移的方式在媒介衬底上提前对铌酸锂单晶薄膜进行高温退火工艺，然后将铌酸锂单晶薄膜转移到目标CMOS电路片晶圆片衬底上，可以减少对CMOS电路的损坏。
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来源：北方有色网
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