一种非极性GaN薄膜及其生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在
铝酸
锂(LiAlO2)衬底上，在N2保护下，升温到800－900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min，然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－200sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－1E－3mole/min，然后再升温到1150－1200℃，生长高温U－GaN约100nm，然后再降温到1000－1100℃生长U－GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温U－GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。
声明：
“非极性GAN薄膜及其生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1036
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
