本发明涉及一种固相剥离制备高分散
稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法，属于
半导体材料技术领域。本发明在固相合成法制备B
3O
4Cl二维半导体材料中，加入稀土离子和Li
+离子作为共同固相剥离剂；其中，稀土离子为稀土Er
3+离子和/或Lu
3+离子，稀土离子与B
3O
4Cl中Bi
3+的摩尔比为1:(10~1000)，Li
+离子与B
3O
4Cl中Bi
3+的摩尔比为1:(4~100)；稀土Er
3+离子、稀土Lu
3+离子的加入形式为
稀土氧化物、稀土硝酸盐、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物；Li
+离子的加入形式为
碳酸锂，硝酸锂，氯化锂或氟化锂。本发明的固相剥离制备Bi
3O
4Cl纳米片的方法简单易行、原材料成本低；高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片可作为光催化材料、传感器材料等。
声明：
“固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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