本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片
负极材料的制备方法。本研究以无机
锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的
电化学活性位点，缩短
锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能
锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。
声明：
“(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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