本发明涉及一种负极片及其制备方法、电池，该方法包括如下步骤：将含硅
负极材料形成于集流体上制得基片；将基片进行预加热，并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射补
锂；预加热的温度高于氛围温度且低于补锂的靶材的熔点，氛围的温度为30℃～130℃；在真空溅射中，基片上第一侧表面的第一第二区域相对设置，基片上第二侧表面的第三第四区域相对设置；靶材的数量为多个，且部分靶材同时对基片的第一第二区域进行镀膜，还有部分靶材同时对基片的第三第四区域进行镀膜；多个靶材包括第一、第二靶材，第一靶材选自
金属锂、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种，第二靶材选自硅、碳、氧化硅、
碳化硅或氮化硅中的一种；第一第二靶材在基片传输方向交替间隔设置。
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来源：北方有色网
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