本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸
锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
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来源：北方有色网
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