提供了一种处理方法,该方法可以在不损害压电性的情况下抑制钽酸
锂单晶体或铌酸锂单晶体的带电。而且,提供了一种处理设备,该设备可以简单且安全地运行该处理方法。其特征在于将钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体制成的晶片50,和包括碱金属的还原剂60放置在处理容器2中,并将处理容器2内部保持在200-1000℃的温度和减压条件下,由此还原晶片50。
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“压电氧化物单晶体的电荷抑制方法及设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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