本发明公开了
铜‑硅复合
负极材料的制备方法，包括配置形成含有硅源和铜源的[BMP]Tf2N离子液体或含有硅源和铜源的[BMP]TFSI离子液体，采用工作电极、参比电极和对电极为三电极，经过恒电位沉积后获得，其中，所述硅源为SiCl4和SiHCl3中的一种或两种；所述铜源为CuCl、Cu(TfO)2和Cu(TfO)中的一种或一种以上，采用铜片作为工作电极，控制工作电极的电位相对于Pt电极在‑1.8V～‑2.3V，控制沉积温度在15℃～40℃，沉积时间为3600秒～14400秒，本发明缓解硅和硅复合负极材料在充放电过程中的体积膨胀效应，提高硅和硅复合负极材料的导电性、循环性能及倍率性能。
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“铜-硅复合负极材料、其制备方法和含其的锂电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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