本实用新型提供一种NLDMOS器件，还提供了一种
锂电保护器件、
芯片及电子产品。其中实施例中NLDMOS器件包括BN区域；位于所述BN区域上方的N型阱区；位于所述N型阱区的深孔区域，所述深孔区域连接所述BN区域，且在所述深孔区域填充金属引出漏极，从而使得漏极N+区域与所述BN区域导通；本实用新型缩小了NLDMOS器件的面积。
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“NLDMOS器件、锂电保护器件、芯片及电子产品” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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