本发明提供一种用于
锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有第一接触窗口及第二接触窗口，所述第一区接触窗口内形成直至所述P+型衬底的沟槽；以及填充于所述沟槽及第二接触窗口内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。仅需通过一个沟槽电极便可将一个源区引到
芯片（chip）背面，封装时可与基底焊接，降低接触电阻，在极低的内阻要求下非常有效，且可大大节省了工艺成本以及减小器件体积。
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“用于锂电保护的开关器件及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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