本发明涉及高灵敏度的近红外(750—850nm)光 折变掺杂铌酸
锂晶体属于近红外用的光折变晶体领 域。单掺Fe2O3为0.05—0.3mol％；双掺 Fe2O3+CeO2为0.1—0.6mol％。在生长后经高温还 原处理，在750—850nm近红外区域内具有光折变效 应，可与750—900nm的半导体激光器配套使用。
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“高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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