一种在
铝酸
锂晶片上低温制备氮化铝薄膜的方法，将抛光的(100)γ－LiAlO2晶片置于流动或密封氨气气氛环境中，在室温至800℃的温度范围内，保温0.1至120小时，对(100)γ－LiAlO2晶片表面进行氮化处理，在(100)γ－LiAlO2晶片表面获得一层高度c轴取向的(0001)氮化铝薄膜。这种表面覆盖有(0001)氮化铝薄膜的(100)γ－LiAlO2晶片的表面粗糙度明显降低，稳定性得到明显提高。用本发明方法制备的氮化(100)γ－LiAlO2晶片可作为衬底用于外延制备GaN、氮化铝、InGaN、ZnO等宽禁带半导体薄膜、厚膜以及功能器件。
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“在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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