本发明涉及非真空坩埚下降法生长
锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，包括：（1）选用NaI、6LiX和TlX作为原料，再与脱氧剂混合后，置于坩埚中并密封；（2）将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，然后升温至700～1000℃并保温一定时间，使原料完全熔融；（3）设置固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速度为0.1～10mm/小时，开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长；（4）生长结束后，降至室温。
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来源：北方有色网
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