本发明涉及一种二硼酸四
锂非线性光学晶体的制备方法和用途，该晶体的分子式为Li4B2O5，分子量129.38, 正交晶系，空间群Pca21，晶胞参数为a =10.1432(11)Å，b = 4.7182(5) Å，c = 17.5896(18)Å，Z=8，V= 841.80(15)Å3。其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的0.5倍，具有宽的透光波段，透光波段 180nm至3400nm。采用熔体法生长晶体，该晶体制备方法简单，成本低，制得的晶体易于加工和保存。通过本发明所述方法获得的二硼酸四锂非线性光学晶体可用于制备非线性光学器件倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器，应用波段能覆盖从深紫外到近红外的广泛区域。是一种具有应用价值的非线性光学晶体。
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来源：北方有色网
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