本发明公开了
锂电池充电管理的VDMOS器件包括衬底、第一外延层，自第一外延层延伸至衬底内的第一沟槽，第一沟槽内填充第二外延层，位于第一沟槽之间并延伸至衬底的第二沟槽，第二沟槽内填充第一氧化硅层，形成在第二沟槽和第一外延层上的第二氧化硅层、位于第二氧化硅层之间的开口、以及第二氧化硅层上的
多晶硅层，第二沟槽之间的体区、体区内并位于开口与第二氧化硅层连接的第一注入区、位于第一注入区之间的第二注入区、以及衬底下表面延伸至第一沟槽并与部分第二沟槽连接的第三注入区，第一金属层、第二金属层和第三金属层。本发明还提供锂电池充电管理的VDMOS器件制备方法，提升过温反馈速率，提高了锂电池充电管理的工作稳定性。
声明：
“锂电池充电管理的VDMOS器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
806
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
