本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种基于铌酸
锂薄膜的脊形波导端面耦合器，该端面耦合器具有异质两步倒锥形波导的耦合结构，应用于将光纤中的光耦合进入薄膜铌酸锂
芯片上的波导。该端面耦合器自下而上包括衬底层、绝缘层和耦合结构，其中，耦合结构包括顺序相接的覆盖波导、由氮化硅制成的第一步倒锥形波导、由LION薄膜材料制成的第二步倒锥形波导和器件波导。本申请首先将光纤与覆盖波导端面对接，光纤模场尺寸与覆盖波导匹配，光能量高效地进入覆盖波导传播；随后，覆盖波导中的模场又通过两步倒锥形波导结构，依次且有效地转换为条形波导模场和脊形波导模场，最终进入功能器件，从而实现高效率的纤芯耦合。
声明：
“基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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