本发明涉及一种近化学比铌酸
锂晶体的生长,特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔,结晶出来的固体成分与熔体成分不一致,难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法,系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分:在晶体生长中,判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡,使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡,从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定;本发明的有益效果:具有加料连续性好、晶体成分波动小,光学均匀性好以及自动化程度高等优点,设备比较简单,有利于产业化生产,也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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“熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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