本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种三维楔形铌酸
锂薄膜波导的制备方法，应用于模斑转化。本申请在二维楔形波导的基础上，利用光刻胶存在自身消耗的特性，通过控制光刻胶厚度和刻蚀时间，使得刻蚀过程中光刻胶在楔形尖端先被完全消耗掉，露出铌酸锂层，再受到上方刻蚀气体的作用，从而实现垂直方向上波导厚度的减小。由于光刻胶完全消耗所需时间与波导宽度成正比，因此楔形尖端的光刻胶最先被消耗，波导厚度最小，随着波导宽度增大，波导厚度也相应增大，最终形成一个三维楔形波导结构。本申请利用光刻胶掩膜存在自身消耗的特性，按照传统干法刻蚀工艺即可制备出三维楔形薄膜铌酸锂波导，更进一步地提高了纤芯耦合效率。
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来源：北方有色网
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