本发明公开了一种6‑8英寸掺铁铌酸
锂晶体的生长方法，该方法包括以下步骤：(1)通过调节多晶原料中铁离子的掺杂量，优选铁离子掺杂浓度，制备掺铁的铌酸锂多晶原料；(2)采用晶体提拉炉，通过优化晶体生长工艺参数，生长出6‑8英寸掺铁铌酸锂晶体；(3)多晶原料中铁离子的掺杂浓度越高，生长获得的铌酸锂晶体的电阻率越低。该发明生长的掺铁铌酸锂晶体具有尺寸大、成品率高、电阻率可控等优点。
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“6-8英寸掺铁铌酸锂晶体的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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