本发明公开了一种基于金刚石晶格的
半导体材料，涉及
半导体技术领域。所述半导体材料为在所述衬底表面均匀铺设含有
锂元素的粉末，以含碳和含氮的混合气体作为气体源，采用化学气相沉积法在衬底上生长出的薄膜，另外，本发明还提出一种相应的制造设备。本发明能够阻止锂原子掺入金刚石后扩散聚集成锂团簇，保证了锂原子在晶格中的活性状态。
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“基于金刚石晶格的半导体材料及其制造设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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