本发明提出一种的工艺制备过程，用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸
锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后，在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶，然后在进行晶圆键合，通过调整热退火的温度、时间以及气体，使晶片内部形成损伤层膨胀，进而将薄膜剥离，同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜，之后对单晶铌酸锂晶圆另一面进行抛光打磨，得到耐高温的铌酸锂薄膜。利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高，极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
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“改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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