本发明为了克服现有铌酸
锂薄膜脊波导端面耦合器耦合效率低或加工难度大的缺陷，公开了一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法，其中包括衬底、设置在衬底上的绝缘层、设置在绝缘层上的铌酸锂薄膜脊波导层、设置在铌酸锂薄膜脊波导层上的氮氧化硅耦合波导层。本发明通过设置氮氧化硅材料折射率使得耦合器与锥形透镜光纤模场匹配，能够提高铌酸锂薄膜光子器件的耦合效率；提出的耦合器结构简单，工艺难度低，制作成本低，为铌酸锂薄膜器件的商业化提供了一种有效的解决耦合问题的方案。
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“铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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