本发明涉及一种双导电层包覆内嵌尖晶石的富
锂锰基
正极材料及其制备方法和应用。所述尖晶石晶畴均匀分散在富锂锰基晶粒内，质量和占所述富锂
锰基正极材料的质量分数为0.5％‑10％，可提供3D离子通道。所述双导电层为源于氟化石墨的石墨化碳层以及LiF层，双导电层质量和占所述
富锂锰基正极材料的质量分数为1％‑10％。
声明：
“双导电层包覆内嵌尖晶石的富锂锰基正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1030
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
