本发明公开了一种无
钴富
锂材料、其制备方法和应用。所述无钴富锂材料的体相掺杂有W元素和/或Zr元素，所述无钴富锂材料的表面包覆有包覆层，所述包覆层包括硅氧化物和/或钨氧化物；所述无钴富锂材料的晶体结构是六方晶系，所述六方晶系的晶胞中，c为14.10‑14.30，c/a为4.96‑4.99，所述无钴富锂材料的XRD衍射图谱中，不同晶面的峰强比值I(003)/I(104)为1.24‑1.35。本发明的无钴富锂材料具有合适的过渡金属离子层间距、混排低，表现出优异的锂离子扩散性能和结构稳定性，能够提高采用其作为
正极材料制成的电池的容量，降低电压降。
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来源：北方有色网
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