本发明涉及氢化
锂单晶制备技术领域，尤其涉及一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置。本发明提供了一种氢化锂单晶的制备方法：在氢气的气氛中，处于静止状态的液态氢化锂在移动温度场中生长单晶；所述生长单晶时，固液界面处的液态氢化锂的温度梯度≤10℃/cm，所述移动温度场由加热装置移动形成。本发明提供的制备方法之制备得到的氢化锂单晶晶体缺陷少品质高。由实施例的结果表明，本发明提供的制备方法制备的氢化锂单晶呈半透明状，X射线衍射峰仅有(002)和(004)衍射峰，衍射峰强度高而尖锐，表明氢化锂单晶的阶梯缺陷少，单晶品质高。
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“氢化锂单晶的制备方法及使用的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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