本发明提供一种钽酸
锂晶体的制造方法,该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度T2’下进行热处理,使该已单一极化的钽酸锂晶体的导电率提高,其中该第一材料含有:在还原性环境和低于居里点的温度T1’下热处理过的钽酸锂或铌酸锂,或是贮藏氢的贮氢金属。因此,通过提高钽酸锂晶体的导电率,使已产生的表面电荷不产生聚集现象,从而可使由于对
碳酸锂晶体施加温度而产生的表面电荷消失,同时,能够维持单一极化构造而发挥有效的压电性。
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来源：北方有色网
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