本发明实施例公开了一种偏硅酸
锂玻璃陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(a)制备基质玻璃液；(b)将基质玻璃液倒入模具中，冷却得到基质玻璃坯体；(c)将基质玻璃坯体放置于加热装置中，进行热处理，热处理的工艺参数包括：以5～20℃/分钟的升温速率，升温至450～600℃，并保温20～150分钟。热处理结束后随炉冷却，得到偏硅酸锂玻璃陶瓷。本发明的技术方案与现有技术相比，所得到的偏硅酸锂玻璃陶瓷中，主晶相偏硅酸锂的晶体形态呈现纳米尺寸并且晶体形态为均匀的球形，晶化程度较低，从而降低了偏硅酸锂玻璃陶瓷的硬度，能够减少加工过程中，对切削车针或打磨工具的磨损，也使得整体加工时间缩短。
声明：
“偏硅酸锂玻璃陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1151
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
