本实用新型公开了一种低直流漂移的铌酸
锂薄膜强度调制器，包括：基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、调制电极、信号电极、地电极、直流偏压电极，所述基底晶片采用具有低介电常数的材料；所述铌酸锂薄膜为单晶结构、X切Y传晶向的光学级铌酸锂单晶薄膜；所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极为推挽型行波式电极结构，所述直流偏压电极为推挽型集总式电极结构。本实用新型的有益效果为，通过采用基于低介电常数材料基底晶片的铌酸锂薄膜结构，可去除二氧化硅缓冲层，实现铌酸锂强度调制器直流漂移现象的大幅抑制，显著提升铌酸锂强度调制器的长期工作性能和可靠性。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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