本发明公开了一种铌酸
锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。通过上述方法得到的铌酸锂自支撑薄膜与铌酸锂单晶晶片的质量一样，从而解决了现有技术中制备铌酸锂薄膜时由于离子束作用而造成的薄膜缺陷问题。
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“铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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